陶瓷新材料氮化铝(AlN)是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料

发布日期：2024-09-09 浏览次数：20487

近些年来，随着微电子技术的迅速发展，电子器件日趋多功能、小型化、高集成度大功率的电子器件工作时产生大量热量，为了避免电子器件因过热而失效，需要采用具有高热导率的基片.氮化铝(AlN)作为一种新型陶瓷材料,上世纪七十年代，致密的氮化铝陶瓷得以制备，其优良的热传导性、可靠的电绝缘性、耐高温、耐腐蚀、低的介电常数以及与硅相匹配的热膨胀系数等一系列优良特点才显现出来。

氮化铝(AlN)是一种优良的耐热冲材料及热交换材料，作为热交换材料，可望应用于燃气轮机的热交换器，使用氮化铝陶瓷为主要原材料制造而成的基板，具有高热导率、低膨胀系数、高强度、耐腐蚀、电性能优、光传输性好等优异特性，是理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。